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bauteil:transistoren [2019/06/05 02:54]
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 Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden.
 <​sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>​ <​sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>​
-^ Typ                                                                                ^ Bauform ​ ^ max. Spannung ​ ^ min. Widerstand ​ ^ max. Strom  ^ Kommentar ​                                                ^+^ Typ                                                                                ^  ​Bauform ​ max. Spannung ^  min. Widerstand ^  max. Strom ^ Kommentar ​                                                ^
 | [[http://​www.fairchildsemi.com/​ds/​FD/​FDN308P.pdf|DN308]] ​                          ​| ​  ​SSOT-3 |          -20 V |          0.125 Ω |       1.5 A |                                                           | | [[http://​www.fairchildsemi.com/​ds/​FD/​FDN308P.pdf|DN308]] ​                          ​| ​  ​SSOT-3 |          -20 V |          0.125 Ω |       1.5 A |                                                           |
 | [[http://​www.alldatasheet.com/​datasheet-pdf/​pdf/​216838/​TSC/​TSM2313.html|TSM2313]] ​ |    SOT23 |          -20 V |           0.07 Ω |       3.3 A |                                                           | | [[http://​www.alldatasheet.com/​datasheet-pdf/​pdf/​216838/​TSC/​TSM2313.html|TSM2313]] ​ |    SOT23 |          -20 V |           0.07 Ω |       3.3 A |                                                           |
 | [[http://​www.vishay.com/​docs/​65594/​sud50p04-08.pdf|SUD50P04]] ​                     |    TO252 |          -40 V |         ​0.0081 Ω |        50 A | 1.30 € bis 0.97 € bei RS                                  | | [[http://​www.vishay.com/​docs/​65594/​sud50p04-08.pdf|SUD50P04]] ​                     |    TO252 |          -40 V |         ​0.0081 Ω |        50 A | 1.30 € bis 0.97 € bei RS                                  |
-| [[http://​www.irf.com/​product-info/​datasheets/​data/​irfp9140n.pdf|IRFP9140]] ​        ​| ​TO247    | -100 V         ​| 0,117 Ω          | 23 A        | Gegenstück zum IRFP064 ​                                   |+| [[http://​www.irf.com/​product-info/​datasheets/​data/​irfp9140n.pdf|IRFP9140]] ​        ​| ​   ​TO247         ​-100 V |          0,117 Ω |        23 A | Gegenstück zum IRFP064 ​                                   |
 | [[http://​www.diodes.com/​datasheets/​BS250P.pdf|BS250P]] ​                            ​| ​    TO92 |          -45 V |            14  Ω |      0.23 A |                                                           | | [[http://​www.diodes.com/​datasheets/​BS250P.pdf|BS250P]] ​                            ​| ​    TO92 |          -45 V |            14  Ω |      0.23 A |                                                           |
 | [[http://​www.irf.com/​product-info/​datasheets/​data/​irlml9301pbf.pdf|IRLML9301]] ​    ​| ​   SOT23 |          -30 V |            0.1 Ω |       3.6 A | für den Verpolungsschutz. 0.1 € bei TME                   | | [[http://​www.irf.com/​product-info/​datasheets/​data/​irlml9301pbf.pdf|IRLML9301]] ​    ​| ​   SOT23 |          -30 V |            0.1 Ω |       3.6 A | für den Verpolungsschutz. 0.1 € bei TME                   |